MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 高技术通讯
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 11期号:2页码:38 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5277.pdf: 190002 bytes, checksum: 377a62b8aeef46020223b545aa25a5fa (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18459]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED[J]. 高技术通讯,2001,11(2):38. |
| APA | 韩培德.(2001).MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED.高技术通讯,11(2),38. |
| MLA | 韩培德."MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED".高技术通讯 11.2(2001):38. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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