带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方高瞻 ; 肖建伟 ; 马骁宇 ; 谭满清 ; 刘宗顺 ; 刘素平 ; 冯小明 |
| 刊名 | 高技术通讯
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 10期号:12页码:9 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家杰出青年基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18461]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方高瞻,肖建伟,马骁宇,等. 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵[J]. 高技术通讯,2000,10(12):9. |
| APA | 方高瞻.,肖建伟.,马骁宇.,谭满清.,刘宗顺.,...&冯小明.(2000).带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵.高技术通讯,10(12),9. |
| MLA | 方高瞻,et al."带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵".高技术通讯 10.12(2000):9. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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