InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邓晖 ; 陈弘达 ; 梁琨 ; 杜云 ; 唐君 ; 黄永箴 ; 潘钟 ; 马骁宇 ; 吴荣汉 ; 王启明 |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 12期号:3页码:222 |
| 中文摘要 | 分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18483]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓晖,陈弘达,梁琨,等. InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究[J]. 光电子·激光,2001,12(3):222. |
| APA | 邓晖.,陈弘达.,梁琨.,杜云.,唐君.,...&王启明.(2001).InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究.光电子·激光,12(3),222. |
| MLA | 邓晖,et al."InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究".光电子·激光 12.3(2001):222. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。