nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 成步文
|
| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 11期号:4页码:359 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:09:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5292.pdf: 244913 bytes, checksum: fc3bdb3ceb656ca9b9c357a18188d6a7 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金; 天津大学精密仪器与光电子工程学院;华侨大学应用物理学系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18489]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成步文. nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质[J]. 光电子·激光,2000,11(4):359. |
| APA | 成步文.(2000).nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质.光电子·激光,11(4),359. |
| MLA | 成步文."nc-Si/SiO_2多层薄膜的三阶非线性光学性质".光电子·激光 11.4(2000):359. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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