镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐骏 ; 陈坤基 ; 黄信凡 ; 贺振宏 ; 韩和相 ; 汪兆平 ; 李国华 |
| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:3页码:262 |
| 中文摘要 | 报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅/氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法。研究结果表明 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,江苏省自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18531]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐骏,陈坤基,黄信凡,等. 镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究[J]. 发光学报,1999,20(3):262. |
| APA | 徐骏.,陈坤基.,黄信凡.,贺振宏.,韩和相.,...&李国华.(1999).镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究.发光学报,20(3),262. |
| MLA | 徐骏,et al."镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究".发光学报 20.3(1999):262. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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