红光InAlAs量子点的结构和光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐波
|
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:3页码:230 |
| 中文摘要 | 利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。 |
| 英文摘要 | 利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5314.pdf: 225376 bytes, checksum: b71ab2b1260e4e9a500fbee65debff87 (MD5) Previous issue date: 1999; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18533]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. 红光InAlAs量子点的结构和光学性质[J]. 发光学报,1999,20(3):230. |
| APA | 徐波.(1999).红光InAlAs量子点的结构和光学性质.发光学报,20(3),230. |
| MLA | 徐波."红光InAlAs量子点的结构和光学性质".发光学报 20.3(1999):230. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。