掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈维德 ; 马智训 ; 许振嘉 ; 何杰 ; 顾诠 ; 梁建军 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:1页码:55 |
| 中文摘要 | 采用等离子化学汽相淀积方法，改变SiH_4和N_2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiO_x。用离子注入方法将铒掺入SiO_x,经300～935℃快速热退火，在波长1.54μ处观察到很强的室温光致发光(PL)。发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与SiO_x的微结构有非常密切的关系。对可能的发光机理进行了讨论。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18537]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈维德,马智训,许振嘉,等. 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光[J]. 发光学报,1999,20(1):55. |
| APA | 陈维德,马智训,许振嘉,何杰,顾诠,&梁建军.(1999).掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光.发光学报,20(1),55. |
| MLA | 陈维德,et al."掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光".发光学报 20.1(1999):55. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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