硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于芳
|
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 27期号:8页码:144 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:12导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5332.pdf: 146104 bytes, checksum: 86a99f1d65a9fbe38eb36917df6f6e75 (MD5) Previous issue date: 1999; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18569]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于芳. 硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化[J]. 电子学报,1999,27(8):144. |
| APA | 于芳.(1999).硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化.电子学报,27(8),144. |
| MLA | 于芳."硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化".电子学报 27.8(1999):144. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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