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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究

文献类型:期刊论文

作者杨少延
刊名北京师范大学学报. 自然科学版
出版日期2001
卷号37期号:2页码:174
中文摘要利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。
英文摘要利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5342.pdf: 342260 bytes, checksum: 662cbaacf8be838437e90a0f60eab346 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所
学科主题半导体材料
资助信息国家863计划
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18589]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
杨少延. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):174.
APA 杨少延.(2001).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),174.
MLA 杨少延."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):174.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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