氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究
文献类型:期刊论文
作者 | 杨少延 |
刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版 |
出版日期 | 2001 |
卷号 | 37期号:2页码:174 |
中文摘要 | 利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。 |
英文摘要 | 利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5342.pdf: 342260 bytes, checksum: 662cbaacf8be838437e90a0f60eab346 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体材料 |
资助信息 | 国家863计划 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18589] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):174. |
APA | 杨少延.(2001).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),174. |
MLA | 杨少延."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):174. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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