高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴正龙 ; 杨锡震 ; 李强胜 ; 黄大定 |
| 刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 332期号:0 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18593]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴正龙,杨锡震,李强胜,等. 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1999,332(0). |
| APA | 吴正龙,杨锡震,李强胜,&黄大定.(1999).高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究.北京师范大学学报. 自然科学版,332(0). |
| MLA | 吴正龙,et al."高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究".北京师范大学学报. 自然科学版 332.0(1999). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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