分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 白元强 ; 莫庆伟 ; 范缇文 |
| 刊名 | 北京科技大学学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 21期号:2页码:182 |
| 中文摘要 | 报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果，并对量子点的结构特性进行邓讨论。结果表明 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18595]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白元强,莫庆伟,范缇文. 分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究[J]. 北京科技大学学报,1999,21(2):182. |
| APA | 白元强,莫庆伟,&范缇文.(1999).分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究.北京科技大学学报,21(2),182. |
| MLA | 白元强,et al."分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究".北京科技大学学报 21.2(1999):182. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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