单晶硅化学气相沉积反应器流场初探
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王亲猛 ; 刘赵淼 ; 罗木昌 |
| 刊名 | 北京工业大学学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 27期号:4页码:483 |
| 中文摘要 | 对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析。通过数值求解三维层流Navier-Stokes方程，研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏。结果表明，由于存在浮力效应，轴对称几何体中也会发生非轴对称流场分布，从而影响单晶硅的均匀生长。 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18599]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王亲猛,刘赵淼,罗木昌. 单晶硅化学气相沉积反应器流场初探[J]. 北京工业大学学报,2001,27(4):483. |
| APA | 王亲猛,刘赵淼,&罗木昌.(2001).单晶硅化学气相沉积反应器流场初探.北京工业大学学报,27(4),483. |
| MLA | 王亲猛,et al."单晶硅化学气相沉积反应器流场初探".北京工业大学学报 27.4(2001):483. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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