Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang Yutian ; Cheng Buwen
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| 刊名 | semiconductor photonics and technology
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:134 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家863计划 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18603]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Yutian,Cheng Buwen. Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6[J]. semiconductor photonics and technology,2000,6(3):134. |
| APA | Wang Yutian,&Cheng Buwen.(2000).Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6.semiconductor photonics and technology,6(3),134. |
| MLA | Wang Yutian,et al."Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6".semiconductor photonics and technology 6.3(2000):134. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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