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硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任丙彦 ; 张志成 ; 刘彩池 ; 郝秋燕 ; 王猛 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:11页码:1416 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 河北省科技攻关项目,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18621]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任丙彦,张志成,刘彩池,等. 硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响[J]. 半导体学报,2001,22(11):1416. |
| APA | 任丙彦,张志成,刘彩池,郝秋燕,&王猛.(2001).硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响.半导体学报,22(11),1416. |
| MLA | 任丙彦,et al."硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响".半导体学报 22.11(2001):1416. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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