GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘文楷 ; 林世鸣 ; 武术 ; 朱家廉 ; 高俊华 ; 渠波 ; 陆建祖 ; 廖奇为 ; 邓晖 ; 陈弘达 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:9页码:1222 |
| 中文摘要 | 采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表明 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18629]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文楷,林世鸣,武术,等. GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]. 半导体学报,2001,22(9):1222. |
| APA | 刘文楷.,林世鸣.,武术.,朱家廉.,高俊华.,...&陈弘达.(2001).GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究.半导体学报,22(9),1222. |
| MLA | 刘文楷,et al."GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究".半导体学报 22.9(2001):1222. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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