聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 熊绍珍 ; 赵颖 ; 吴春亚 ; 郝云 ; 王跃 ; 陈有素 ; 杨恢东 ; 周祯华 ; 俞钢 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:9页码:1176 |
| 中文摘要 | 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质 |
| 英文摘要 | 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5363.pdf: 232094 bytes, checksum: ef5ec2c911f7a374b2bff0c75dbfad4e (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 南开大学光电子所;中科院半导体所;UNIAX Corporation |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18631]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊绍珍,赵颖,吴春亚,等. 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析[J]. 半导体学报,2001,22(9):1176. |
| APA | 熊绍珍.,赵颖.,吴春亚.,郝云.,王跃.,...&俞钢.(2001).聚合物发光器件中输运特性的模拟分析.半导体学报,22(9),1176. |
| MLA | 熊绍珍,et al."聚合物发光器件中输运特性的模拟分析".半导体学报 22.9(2001):1176. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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