分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐应强
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:9页码:1097 |
| 中文摘要 | 采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术。将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm，其光致发光峰半峰宽只有22meV。研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器。对于100μm条宽和800μm腔长的激光器，最大线性输出功率达到200mW，斜率效率达到0.84mW/mA，最低阈值电流密度为450A/cm~2，特征温度达到90K。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家973计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18635]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐应强. 分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(9):1097. |
| APA | 徐应强.(2001).分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）.半导体学报,22(9),1097. |
| MLA | 徐应强."分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）".半导体学报 22.9(2001):1097. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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