MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴根柱 ; 张子莹 ; 任大翠 ; 张兴德 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:1057 |
| 中文摘要 | 用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的。 |
| 英文摘要 | 用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:22导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5366.pdf: 357425 bytes, checksum: 6e6497f94cf56be17c77183bdb5bd319 (MD5) Previous issue date: 2001; 兵器科技预研基金; 长春光学精密机械学院;中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 兵器科技预研基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18637]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴根柱,张子莹,任大翠,等. MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器[J]. 半导体学报,2001,22(8):1057. |
| APA | 吴根柱,张子莹,任大翠,&张兴德.(2001).MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器.半导体学报,22(8),1057. |
| MLA | 吴根柱,et al."MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器".半导体学报 22.8(2001):1057. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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