6H-SiC高压肖特基势垒二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐萍
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:1052 |
| 中文摘要 | 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性 |
| 英文摘要 | 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发，制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管。测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5367.pdf: 310223 bytes, checksum: 8dfad318a451207f53cc97fe053b60e3 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18639]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐萍. 6H-SiC高压肖特基势垒二极管[J]. 半导体学报,2001,22(8):1052. |
| APA | 徐萍.(2001).6H-SiC高压肖特基势垒二极管.半导体学报,22(8),1052. |
| MLA | 徐萍."6H-SiC高压肖特基势垒二极管".半导体学报 22.8(2001):1052. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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