GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹德恕 ; 徐晨 ; 陈建新 ; 史辰 ; 杜金玉 ; 高国 ; 沈光地 ; 黄大定 ; 李建平 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:1035 |
| 中文摘要 | 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。 |
| 英文摘要 | 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5368.pdf: 249414 bytes, checksum: b79b006297e10a870f15c3b1fbe3d27e (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划; 北京工业大学电子信息与控制工程学院;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18641]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹德恕,徐晨,陈建新,等. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报,2001,22(8):1035. |
| APA | 邹德恕.,徐晨.,陈建新.,史辰.,杜金玉.,...&林兰英.(2001).GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料.半导体学报,22(8),1035. |
| MLA | 邹德恕,et al."GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料".半导体学报 22.8(2001):1035. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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