玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:996 |
| 中文摘要 | 用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好。量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份基本不变。研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关。量子点尺寸越小，比表面越大，该峰相对强度越大。 |
| 英文摘要 | 用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好。量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份基本不变。研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关。量子点尺寸越小，比表面越大，该峰相对强度越大。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:24导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5371.pdf: 366364 bytes, checksum: 61fabdaae20d692604fc82b052985771 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;北京师范大学物理系 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18647]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. 玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质[J]. 半导体学报,2001,22(8):996. |
| APA | 江德生.(2001).玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质.半导体学报,22(8),996. |
| MLA | 江德生."玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质".半导体学报 22.8(2001):996. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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