C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:979 |
| 中文摘要 | 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%-1.0%的Si_(1-x)C_x合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷，注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因，如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量，退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si_(1-x)C_x合金的形成；但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化，预先注入产生的损伤缺陷不利于Si_(1-x)C_x合金的形成。与慢速退火工艺相比，快速热退火工艺有利于Si_(1-x)C_x合金的形成。离子注入的C原子在空间分布不均匀，退火过程中将形成应变不同的Si_(1-x)C_x合金区域。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18649]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征[J]. 半导体学报,2001,22(8):979. |
| APA | 王玉田.(2001).C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征.半导体学报,22(8),979. |
| MLA | 王玉田."C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征".半导体学报 22.8(2001):979. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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