高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于芳
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:8页码:962 |
| 中文摘要 | 在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti/6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性。反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压V_R=200V时，反向漏电流J_R低于1×10~(-4)A/cm~2。采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18653]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于芳. 高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(8):962. |
| APA | 于芳.(2001).高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）.半导体学报,22(8),962. |
| MLA | 于芳."高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文）".半导体学报 22.8(2001):962. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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