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SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

文献类型:期刊论文

作者阎研 ; 黄福敏 ; 张树霖 ; 朱邦芬 ; 尚尔轶 ; 范守善
刊名半导体学报
出版日期2001
卷号22期号:6页码:726
中文摘要报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果。对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiC NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要。理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象。
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18675]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
阎研,黄福敏,张树霖,等. SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱[J]. 半导体学报,2001,22(6):726.
APA 阎研,黄福敏,张树霖,朱邦芬,尚尔轶,&范守善.(2001).SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱.半导体学报,22(6),726.
MLA 阎研,et al."SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱".半导体学报 22.6(2001):726.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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