GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 向贤碧 ; 杜文会 ; 廖显伯 ; 常秀兰 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:6页码:710 |
| 中文摘要 | 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV，辐照的剂量为5×10~(10)-1×10~(13)cm~(-2)。实验结果表明，质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化，其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显。退火实验结果表明，200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复。此外，实验结果还指出，在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤。 |
| 英文摘要 | 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV，辐照的剂量为5×10~(10)-1×10~(13)cm~(-2)。实验结果表明，质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化，其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显。退火实验结果表明，200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复。此外，实验结果还指出，在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:29导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5387.pdf: 313974 bytes, checksum: a65f5bedcfaa2200d171c7d80af6befe (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18679]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向贤碧,杜文会,廖显伯,等. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(6):710. |
| APA | 向贤碧,杜文会,廖显伯,&常秀兰.(2001).GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）.半导体学报,22(6),710. |
| MLA | 向贤碧,et al."GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）".半导体学报 22.6(2001):710. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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