快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
文献类型:期刊论文
作者 | 徐波 |
刊名 | 半导体学报 |
出版日期 | 2001 |
卷号 | 22期号:6页码:684 |
中文摘要 | 系统地研究了快速热退火对带有3nm In_xGa_(1-x)As(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外,在较高的退火温度下观测到InGaAs的发光峰。 |
学科主题 | 半导体材料 |
资助信息 | 国家自然科学基金,国家先进材料委员会资助 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18683] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. 快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(6):684. |
APA | 徐波.(2001).快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文).半导体学报,22(6),684. |
MLA | 徐波."快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)".半导体学报 22.6(2001):684. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。