快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:6页码:684 |
| 中文摘要 | 系统地研究了快速热退火对带有3nm In_xGa_(1-x)As(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃，量子点发光峰的蓝移趋势是相似的。但是，量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外，在较高的退火温度下观测到InGaAs的发光峰。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家先进材料委员会资助 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18683]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. 快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(6):684. |
| APA | 徐波.(2001).快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）.半导体学报,22(6),684. |
| MLA | 徐波."快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文）".半导体学报 22.6(2001):684. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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