InGaN光致发光性质与温度的关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 樊志军
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:5页码:569 |
| 中文摘要 | 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。 |
| 英文摘要 | 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5394.pdf: 283329 bytes, checksum: a32d35a6fe270475c4248e6807c935d6 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18693]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊志军. InGaN光致发光性质与温度的关系[J]. 半导体学报,2001,22(5):569. |
| APA | 樊志军.(2001).InGaN光致发光性质与温度的关系.半导体学报,22(5),569. |
| MLA | 樊志军."InGaN光致发光性质与温度的关系".半导体学报 22.5(2001):569. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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