RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁琨 ; 陈弘达 ; 邓晖 ; 杜云 ; 唐君 ; 吴荣汉 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:4页码:409 |
| 中文摘要 | 对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。 |
| 英文摘要 | 对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型(简称RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR，改变顶镜反射率，能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器，实现VCSEL与RCE探测器的单片集成。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5399.pdf: 215232 bytes, checksum: d9ae76ade3692a1f561999ae3599ec0b (MD5) Previous issue date: 2001; 国家863计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18703]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁琨,陈弘达,邓晖,等. RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(4):409. |
| APA | 梁琨,陈弘达,邓晖,杜云,唐君,&吴荣汉.(2001).RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）.半导体学报,22(4),409. |
| MLA | 梁琨,et al."RCE光电探测器顶部 DBR的优化（英文）".半导体学报 22.4(2001):409. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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