GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张秀兰 ; 朱文珍 ; 黄大定 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:3页码:288 |
| 中文摘要 | 通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明 |
| 英文摘要 | 通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5403.pdf: 146119 bytes, checksum: 2fc8c2ce424ed13b3103f56afc656a6f (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18711]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张秀兰,朱文珍,黄大定. GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]. 半导体学报,2001,22(3):288. |
| APA | 张秀兰,朱文珍,&黄大定.(2001).GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布.半导体学报,22(3),288. |
| MLA | 张秀兰,et al."GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布".半导体学报 22.3(2001):288. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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