高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
文献类型：期刊论文
| 作者 | 兀革 ; 石寅 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:12页码:1214 |
| 中文摘要 | 提出并设计了一种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关，该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化。通过对开关特性的理论分析与电路模拟，证明了这种模拟开关具有高速可控性，传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关。 |
| 英文摘要 | 提出并设计了一种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关，该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化。通过对开关特性的理论分析与电路模拟，证明了这种模拟开关具有高速可控性，传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:37导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5415.pdf: 341582 bytes, checksum: 3da90119689527ed8548dade0a67d85d (MD5) Previous issue date: 2000; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18735]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兀革,石寅. 高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现[J]. 半导体学报,2000,21(12):1214. |
| APA | 兀革,&石寅.(2000).高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现.半导体学报,21(12),1214. |
| MLA | 兀革,et al."高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现".半导体学报 21.12(2000):1214. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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