Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang W(张伟)
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:12页码:1152 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中科院基金,国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18739]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang W. Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy[J]. 半导体学报,2000,21(12):1152. |
| APA | 张伟.(2000).Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy.半导体学报,21(12),1152. |
| MLA | 张伟."Effects of Growth Conditions on Optical Properties ofGa In NAs/Ga As Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy".半导体学报 21.12(2000):1152. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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