Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lin YX(林燕霞) ; Huang DD(黄大定) ; Zhang XL(张秀兰) ; Liu JP(刘金平) ; Li JP(李建平) ; Gao F(高飞) ; Sun DZ(孙殿照) ; Ceng YP(曾一平) ; Kong MY(孔梅影) |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:11页码:1050 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:39导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:10:39z (gmt). no. of bitstreams: 1 5421.pdf: 223738 bytes, checksum: e49b9049e192ef8ce3c4dfc144a7c33e (md5) previous issue date: 2000; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18747]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lin YX,Huang DD,Zhang XL,et al. Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method[J]. 半导体学报,2000,21(11):1050. |
| APA | 林燕霞.,黄大定.,张秀兰.,刘金平.,李建平.,...&孔梅影.(2000).Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method.半导体学报,21(11),1050. |
| MLA | 林燕霞,et al."Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method".半导体学报 21.11(2000):1050. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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