MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹昕 ; 曾一平 ; 孔梅影 ; 王保强 ; 潘量 ; 张？？ ; 朱战萍 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:9页码:934 |
| 中文摘要 | 用MBE方法制备的PHEMT微结构材料，其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×10~(12)cm~(-2)之间，室温霍耳迁移率在5000-6500cm~2·V~(-1)·s~(-1)之间。制备的PHEMT器件，栅长为0.7μm的器件的直流特性：I_(dss)～280mA/mm,I_(max)～520-580mA/mm,g_m～320-400mS/mm,BV_(DS)>15V(I_(DS)=1mA/mm),BV_(GS)>10V,微波特性：P_0～600-900mW/mm,G～6-10dB,η_(add)～40-60%;栅长为0.4μm的器件的直流特性:I_(max)～800mA/mm,g_m>400mS/mm。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家九五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18759]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹昕,曾一平,孔梅影,等. MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料[J]. 半导体学报,2000,21(9):934. |
| APA | 曹昕.,曾一平.,孔梅影.,王保强.,潘量.,...&朱战萍.(2000).MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料.半导体学报,21(9),934. |
| MLA | 曹昕,et al."MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料".半导体学报 21.9(2000):934. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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