大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩勤 ; 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:8页码:827 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器 |
| 英文摘要 | 利用分子束外延技术和S-K生长模式，系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:42导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5431.pdf: 266548 bytes, checksum: f1820278244577efbf5206db732d7a0e (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金,国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18767]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩勤,徐波. 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器[J]. 半导体学报,2000,21(8):827. |
| APA | 韩勤,&徐波.(2000).大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器.半导体学报,21(8),827. |
| MLA | 韩勤,et al."大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器".半导体学报 21.8(2000):827. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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