InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:7页码:726 |
| 中文摘要 | 采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。 |
| 英文摘要 | 采用金属有机物气相外延方法，研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管。测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系。室温20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。注入电流小于40mA时，发光强度随注入电流单调递增。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5436.pdf: 250430 bytes, checksum: a23c9f0a45e754e427f83605b85063ac (MD5) Previous issue date: 2000; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18777]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J]. 半导体学报,2000,21(7):726. |
| APA | 韩培德.(2000).InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管.半导体学报,21(7),726. |
| MLA | 韩培德."InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管".半导体学报 21.7(2000):726. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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