GSMBE生长的高质量氮化镓材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙殿照 ; 王晓亮 ; 王军喜 ; 刘宏新 ; 刘成海 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 侯洵 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:7页码:723 |
| 中文摘要 | 使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。 |
| 英文摘要 | 使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5437.pdf: 249938 bytes, checksum: 430b39383d1dfae80ba29cabff39f007 (MD5) Previous issue date: 2000; 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18779]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙殿照,王晓亮,王军喜,等. GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]. 半导体学报,2000,21(7):723. |
| APA | 孙殿照.,王晓亮.,王军喜.,刘宏新.,刘成海.,...&林兰英.(2000).GSMBE生长的高质量氮化镓材料.半导体学报,21(7),723. |
| MLA | 孙殿照,et al."GSMBE生长的高质量氮化镓材料".半导体学报 21.7(2000):723. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。