a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭震宁 ; 黄永箴 ; 郭亨群 ; 李世忱 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:6页码:576 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5440.pdf: 297224 bytes, checksum: fa63697502a3239327176784ba7d6b52 (MD5) Previous issue date: 2000; 集成光电子学联合国家重点实验室基金,国家自然科学基金; 天津大学精密仪器与光电子工程学院;中科院半导体所;华侨大学应用物理系 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 集成光电子学联合国家重点实验室基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18785]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭震宁,黄永箴,郭亨群,等. a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为[J]. 半导体学报,2000,21(6):576. |
| APA | 郭震宁,黄永箴,郭亨群,李世忱,&王启明.(2000).a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为.半导体学报,21(6),576. |
| MLA | 郭震宁,et al."a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为".半导体学报 21.6(2000):576. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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