薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王启元 ; 聂纪平 ; 刘忠立 ; 郁元桓 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:6页码:521 |
| 中文摘要 | 亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实：采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括：硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。 |
| 英文摘要 | 亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实：采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括：硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明：多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5443.pdf: 411811 bytes, checksum: 240fd62faf549f9f70c8ad6136eb9838 (MD5) Previous issue date: 2000; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18791]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王启元,聂纪平,刘忠立,等. 薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)[J]. 半导体学报,2000,21(6):521. |
| APA | 王启元,聂纪平,刘忠立,&郁元桓.(2000).薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文).半导体学报,21(6),521. |
| MLA | 王启元,et al."薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)".半导体学报 21.6(2000):521. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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