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用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器

文献类型:期刊论文

作者成步文
刊名半导体学报
出版日期2000
卷号21期号:5页码:483
中文摘要Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器,研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。
英文摘要Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备。用PECVD方法在Si衬底上制备了SiO_xN_y/Si Bragg反射器,研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:47导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5445.pdf: 332032 bytes, checksum: 5101580730be379b3c1239447fb56347 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金; 中科院半导体所;中科院半导体所国家光电子工艺中心
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18795]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
成步文. 用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器[J]. 半导体学报,2000,21(5):483.
APA 成步文.(2000).用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器.半导体学报,21(5),483.
MLA 成步文."用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器".半导体学报 21.5(2000):483.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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