High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen LH(陈良惠)
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:5页码:417 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:48导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:10:48z (gmt). no. of bitstreams: 1 5448.pdf: 291031 bytes, checksum: 8d326a8628893a7d4947eb7215ad9081 (md5) previous issue date: 2000; 国家863计划; 中科院半导体所;北京工业大学 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18801]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen LH. High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers[J]. 半导体学报,2000,21(5):417. |
| APA | 陈良惠.(2000).High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers.半导体学报,21(5),417. |
| MLA | 陈良惠."High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers".半导体学报 21.5(2000):417. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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