Au-GaN肖特基结的伏安特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林兆军 ; 张太平 ; 武国英 ; 王玮 ; 阎桂珍 ; 孙殿照 ; 张建平 ; 张国义 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:4页码:369 |
| 中文摘要 | 在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性。分析表明 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家九五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18805]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林兆军,张太平,武国英,等. Au-GaN肖特基结的伏安特性[J]. 半导体学报,2000,21(4):369. |
| APA | 林兆军.,张太平.,武国英.,王玮.,阎桂珍.,...&张国义.(2000).Au-GaN肖特基结的伏安特性.半导体学报,21(4),369. |
| MLA | 林兆军,et al."Au-GaN肖特基结的伏安特性".半导体学报 21.4(2000):369. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。