掺杂nc-Si∶H膜的电导特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭英才 ; 刘明 ; 何宇亮 ; 李月霞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:3页码:308 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5453.pdf: 307859 bytes, checksum: 985cca5966a66632321c30b272116fe3 (MD5) Previous issue date: 2000; 河北大学电子信息工程学院;中科院微电子中心;北京航空航天大学材料物理与化学研究中心;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18811]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才,刘明,何宇亮,等. 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性[J]. 半导体学报,2000,21(3):308. |
| APA | 彭英才,刘明,何宇亮,&李月霞.(2000).掺杂nc-Si∶H膜的电导特性.半导体学报,21(3),308. |
| MLA | 彭英才,et al."掺杂nc-Si∶H膜的电导特性".半导体学报 21.3(2000):308. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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