用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧海燕 ; 杨沁清 ; 雷红兵 ; 王红杰 ; 余金中 ; 王启明 ; 胡雄伟 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:3页码:260 |
| 中文摘要 | 用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到 |
| 英文摘要 | 用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO_2成本低，省时。氧化硅膜的厚度，表面粗糙和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5454.pdf: 334738 bytes, checksum: c1dab7b94c4bd90554274e7f6f0e8f10 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;国家光电子工艺中心 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18813]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧海燕,杨沁清,雷红兵,等. 用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J]. 半导体学报,2000,21(3):260. |
| APA | 欧海燕.,杨沁清.,雷红兵.,王红杰.,余金中.,...&胡雄伟.(2000).用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析.半导体学报,21(3),260. |
| MLA | 欧海燕,et al."用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析".半导体学报 21.3(2000):260. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。