用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘学锋 ; 李晋闽 ; 孔梅影 ; 黄大定 ; 李建平 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:2页码:142 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家九五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18827]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘学锋,李晋闽,孔梅影,等. 用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管[J]. 半导体学报,2000,21(2):142. |
| APA | 刘学锋,李晋闽,孔梅影,黄大定,李建平,&林兰英.(2000).用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管.半导体学报,21(2),142. |
| MLA | 刘学锋,et al."用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管".半导体学报 21.2(2000):142. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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