A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lu DC(陆大成) ; Duan SK(段树坤) |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:2页码:105 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18831]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lu DC,Duan SK. A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN[J]. 半导体学报,2000,21(2):105. |
| APA | 陆大成,&段树坤.(2000).A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN.半导体学报,21(2),105. |
| MLA | 陆大成,et al."A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN".半导体学报 21.2(2000):105. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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