157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方高瞻 ; 肖建伟 ; 马骁宇 ; 谭满清 ; 刘宗顺 ; 刘素平 ; 胡长虹 ; 鲁琳 ; 李秀芳 ; 王梅 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:1页码:102 |
| 中文摘要 | 通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率达157W。 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18833]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方高瞻,肖建伟,马骁宇,等. 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵[J]. 半导体学报,2000,21(1):102. |
| APA | 方高瞻.,肖建伟.,马骁宇.,谭满清.,刘宗顺.,...&王梅.(2000).157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵.半导体学报,21(1),102. |
| MLA | 方高瞻,et al."157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵".半导体学报 21.1(2000):102. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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