Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cheng BW(成步文) ; Chen YH(陈涌海)
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:1页码:18 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:55导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:10:55z (gmt). no. of bitstreams: 1 5470.pdf: 283860 bytes, checksum: 6250c4056e970e824a29927b56747695 (md5) previous issue date: 2000; 国家自然科学基金,国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家863计划 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18845]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cheng BW,Chen YH. Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing[J]. 半导体学报,2000,21(1):18. |
| APA | 成步文,&陈涌海.(2000).Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing.半导体学报,21(1),18. |
| MLA | 成步文,et al."Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing".半导体学报 21.1(2000):18. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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