ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李玉鉴 ; 谭满清 ; 茅冬生 ; 陆建祖 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:12页码:1109 |
| 中文摘要 | 用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR Plasma CVD)镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n关于气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(Q_2)/Q(SiH_4)的数学模型。在给定气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(O_2)/Q(SiH_4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好。 |
| 英文摘要 | 用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR Plasma CVD)镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n关于气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(Q_2)/Q(SiH_4)的数学模型。在给定气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(O_2)/Q(SiH_4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:55导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5472.pdf: 328209 bytes, checksum: b30803df5c7e36598a1a4660e2d91627 (MD5) Previous issue date: 1999; 国家863计划; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18849]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李玉鉴,谭满清,茅冬生,等. ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟[J]. 半导体学报,1999,20(12):1109. |
| APA | 李玉鉴,谭满清,茅冬生,&陆建祖.(1999).ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟.半导体学报,20(12),1109. |
| MLA | 李玉鉴,et al."ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟".半导体学报 20.12(1999):1109. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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