GSMBE原位生长SiGeHBT材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄大定 ; 刘金平 ; 李建平 ; 林燕霞 ; 刘学锋 ; 李灵霄 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:12页码:1049 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家九五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18853]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄大定,刘金平,李建平,等. GSMBE原位生长SiGeHBT材料[J]. 半导体学报,1999,20(12):1049. |
| APA | 黄大定.,刘金平.,李建平.,林燕霞.,刘学锋.,...&林兰英.(1999).GSMBE原位生长SiGeHBT材料.半导体学报,20(12),1049. |
| MLA | 黄大定,et al."GSMBE原位生长SiGeHBT材料".半导体学报 20.12(1999):1049. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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