用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金鹏
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:11页码:1004 |
| 中文摘要 | 硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法。使用Na_2S、S_2Cl_2和CH_3CSNH_2三种化学试剂对表面-本征层-重掺杂层(s-i-n~+)结构的GaAs样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多个Franz-Keldysh振荡，测量出本征层的电场强度，研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化，并且比较了各种钝化方法的钝化效果。 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18861]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金鹏. 用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化[J]. 半导体学报,1999,20(11):1004. |
| APA | 金鹏.(1999).用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化.半导体学报,20(11),1004. |
| MLA | 金鹏."用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化".半导体学报 20.11(1999):1004. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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